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从晶体管到忆阻器——彻底改变微电
 贝尔实验室于1947 年发明的晶体管开创了一个电子设备的时代，电子设备比体积庞大且易碎的真空管电子设备更小、运行更冷，耗电量远低于同类产品。

氮化镓 (GaN) 封装的诸多挑战
 在处理氮化镓（GaN）时，与硅(Si)相比，还有两个额外的考虑因素可以优化器件性能。

芯片封装简史
 封装曾经是半导体制造过程中的事后想法，不被大家重视。

模拟IC布局自动化
 最近笔者观看了一场网络研讨会，主题是平衡MOSFET差分对中的模拟布局寄生效应。这个话题让笔者很感兴趣，因为早在1982年，笔者就在英特尔编

SRII重磅推出两款ALD新品，满足泛半
 原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制

PCIe如何帮助构建ML加速器?
机器学习 (ML)，尤其是基于深度学习 (DL) 的解决方案，正在渗透到我们个人和商业生活的方方面面。

MOSFET 之父：Dawon Kahng 和 Martin Atalla
当今数字电路中最流行的晶体管技术是金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，以其基于施加电压的动态导电性而闻名。自诞生以来，这些功能

第四代半导体技术原理与优势，为何
 随着以SiC与GaN为主的第三代半导体应用逐渐落地，被视为第四代之超宽禁带氧化镓（Ga2O3）和钻石等新一代材料，成为下一波瞩目焦点，特别是G

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