Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发

2022-07-05 09:29:29 来源:EETOP

公司内部以及合作开的七款设计工具可以45W140W 适配器来高性能650V氮化FET优势

加州戈利塔--(新闻稿)-- (美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化(GaN)转换产品的先和全球供 (Nasdaq: TGAN)宣布推出,旨在加快基于氮化USB-C PD源适配器的研参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项,覆盖多种拓扑构、出和功率(45W140W)。

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SuperGaN®的差异化优势 
源适配器参考设计采用SuperGaNIV650V FET,具有设计简单、可靠性高和性能优势些特点已Transphorm氮化器件的代名。在最近的比分析中,与175毫欧的e-mode氮化器件 相比,Transphorm240毫欧SuperGaN FET在温度超75℃时显示出更低的阻上升幅度,并在50%100%(全)功率下有更高的性能。

了解两种氮化解决方案之间对比的更多情。

源适配器参考设计 
Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计率范140300 kHz其中包括TransphormSilanna Semiconductor合作开的一款65W有源位反激模式(ACF)参考设计,运行140kHz,峰效率94.5%

· (1x) 45W适配器参考设计采用准振反激模式(QRF)拓扑构,可提供24 W/in3的功率密

· (3x) 65W适配器参考设计采用ACFQRF拓扑构,可提供30 W/in3的功率密度

· (1x) 100W适配器参考设计采用功率因数校正(PFC)+QRF拓扑构,可提供18 W/in3 功率密度

Transphorm的参考设计组包括两款开放框架的USB-C PD/PPS参考设计率范110140 kHzTransphormDiodes Inc.合作开两款解决方案,利用公司的ACF控制器实现了超93.5%的峰效率。

· (1x) 65W适配器参考设计采用ACF拓扑构,可提供29 W/in3的功率密度

· (1x) 140W适配器参考设计采用PFC+ACF拓扑构,可提供20 W/in3的功率密度

Transphorm现场应用和技术销售副Tushar Dhayagude表示:“Transphorm独具优势,可提供唯一能适用于广泛用的、涵盖众多功率水平的氮化FET合。我源适配器参考设计出我的低 功率能力。我提供与控制器无关的PQFNTO-220器件,可以极大地设计优势以及其他特点有助于客快速、松地将 具有突破性功率效率水平的氮化解决方案推向市正是Transphorm氮化器件的价所在。

查阅当前提供的源适配器参考设计组合。

关于Transphorm 
Transphorm, Inc.是氮化革命的全球领导者,致力于设计、制造和售用于高压电转换应用的高性能、高可靠性的氮化体功率器件。Transphorm有最大的功率氮化 识产合之一,持有或取得授利超1,000,在界率先生产经JEDECAEC-Q101认证的高氮化 器件。得益于垂直整合的业务模式,Transphorm品和技的每一个新:设计、制造、器件和用支持。 Transphorm新正在使设备突破硅的局限性,以使效率超99%、将功率密度提高40%以及将系成本降低 20%Transphorm部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津有制造工厂。如需了解更多信息,请访问迎在Twitter 和微信@Transphorm_GaN上关注我

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